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中國光刻機現在達到了多少納米呢？

中國有光刻機了嗎？

中國的光刻機與刻蝕機已經達到世界先進水平，為什么有些人還說中國芯片業依舊前路艱辛？

我國唯一一臺euv光刻機現狀

中國什么光刻機？

華為有多少光刻機

中國突破光刻機意味著什么？

中國有光刻機嗎？

中國光刻機能產幾納米

中國最大的光刻機生產廠家

中國光刻機現在達到了多少納米呢？

中國光刻機現在達到了22納米。在上海微電子技術取得突破之前，我國國產的光刻機一直停留在只能制造90nm制程的芯片。

這次我國直接從90nm突破到了22nm也就意味著我國在光刻機制造的一些關鍵核心領域上已經實現了國產化。而自己掌握核心技術有多重要自然不言而喻，在突破關鍵領域以后，更高階的光刻機的研發速度只會越來越快。國產光刻機突破封鎖，成功研制22nm光刻機，中國芯正在逐漸崛起。



高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，分辨率通常七納米至幾微米之間，高端光刻機號稱世界上最精密的儀器，世界上已有1.2億美金一臺的光刻機。高端光刻機堪稱現代光學工業之花，其制造難度之大，全世界只有少數幾家公司能夠制造。

中國有光刻機了嗎？

國內唯一一臺7nm光刻機在武漢弘芯。

中芯國際所采購的ASML光刻機設備，只能夠實現14nm芯片量產，國內最先進的光刻機設備并不是中芯國際目前所使用的光刻機設備，而是武漢弘芯在2019年12月所購得的7nm光刻機，當時武漢弘芯還舉行了重大的入場儀式。

光刻機，又名掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。

光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動。手動指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了。

半自動指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧。自動指的是從基板的上載下載，曝光時長和循環都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。

性能指標

光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。

分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。

對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。

以上內容參考：百度百科-光刻機

中國的光刻機與刻蝕機已經達到世界先進水平，為什么有些人還說中國芯片業依舊前路艱辛？

據媒體報道，2018年12月，中微半導體設備（上海）有限公司自主研制的5納米等離子體刻蝕機經臺積電驗證，性能優良，將用于全球首條5納米制程生產線。5納米，相當于頭發絲直徑（約為01毫米）的二萬分之一，將成為集成電路芯片上的最小線寬。臺積電計劃2019年進行5納米制程試產，預計2020年量產。

▲半導體器件工藝制程從14納米微縮到5納，等離子蝕刻步驟會增加三倍

刻蝕機是芯片制造的關鍵設備之一，曾一度是發達國家的出口管制產品。中微半導體聯合創始人倪圖強表示，中微與科林研發(Lam Research)、應用材料(Applied Materials)、東京威力科創(Tokyo Electron Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies) 4家美日企業，組成了國際第一梯隊，為7納米芯片生產線供應刻蝕機。中微半導體如今通過臺積電驗證的5納米刻蝕機，預計能獲得比7納米更大的市場份額。

中科院SP超分辨光刻機

提問者所說的中國光刻機達到世界先進水平，應該是指2018年11月29日通過驗收的，由中國科學院光電技術研究所主導、經過近七年艱苦攻關研制的“超分辨光刻裝備”項目。

該項目下研制的這臺光刻機是“世界上首臺分辨力最高的紫外(即22納米@365納米)超分辨光刻裝備”。這是一種表面等離子體（surfaceplasma，SP）超分辨光刻裝備。

▲中科院研制成功并通過驗收的SP光刻機

該光刻機在365納米光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。結合雙重曝光技術后，未來還可用于制造10nm級別的芯片

中國的刻蝕機的確是達到了世界先進水平，光刻機還早，而且就算是這兩樣都世界先進了，不代表中國芯片業的前路就不艱辛了。目前中國的刻蝕機的確領先，5納米等離子體刻蝕機已經通過臺積電驗證；但是光刻機就差多了，之前新聞報道中提到的“中科院SP超分辨光刻機”其實最多只能算是一個“原型機”，和ASML的光刻機不能相提并論，也不能用來制造芯片，還需要攻克一系列的技術難題退一步講，就算是中國的光刻機與刻蝕機都達到世界領先就解決問題了么？ASML的EUV光刻機我們已經下單等待交貨了，是不是到貨以后中國就可以生產7nm甚至是5nm的芯片了不要把問題想簡單了，以為芯片也只有光刻機和刻蝕機。芯片制造的技術、經驗、工藝以及人才是一個系統性的工程，臺積電也不是一天建成的，有了光刻機也不代表我們就能造出最頂尖的芯片。

好消息：中企5nm刻蝕機已獲批量訂單，全球僅3家企業掌握該技術

中微公司能成為偉大公司。

中微這種國內產品唯一性稀缺性的偉大公司，具有極高的護城河，國內沒有相同品質的產品。

中微半導體設備(上海)股份有限公司(簡稱“中微公司”)成立于2004年，是一家以中國為基地、面向全球的高端半導體微觀加工設備公司，深耕芯片制造刻蝕領域，研制出國內第一臺電介質刻蝕機，是我國集成電路設備行業的領先企業。

全球半導體設備市場由國外廠商主導，行業呈現高度壟斷格局，“不對稱競爭”是我國集成電路設備產業的主要發展矛盾。成立之后，中微公司克服研發經費不對稱、人才資源不對稱、準入門檻不對稱等重重困難，2015年以全球領先技術打破美國對我國等離子體刻蝕設備的出口管制；2018年自主研制的5納米等離子體刻蝕設備通過全球領先的晶圓制造廠驗證，躋身國際第一梯隊；2019年成為首批登陸科創板的25家企業之一。

據外媒此前報道，作為全球最大的芯片消費市場， 截至2019年中國芯片市場規模已經增長到3104億美元， 與10年前相比擴大了140%。而近些年來，中國開始意識到芯片自給的重要性，因此芯片及其生產技術已經成為中國提升本國 科技 實力的重要領域之一。因此， 在近期中國批準了美以2大芯片巨頭合并之后，中國芯片及其生產設備企業也在不斷提高自身競爭力。

繼中國首條14nm芯片生產線正式投產及長江存儲128層3D NAND閃存芯片投產發布之后，中國近期在芯片生產設備方面又傳來一大好消息。 據觀察者網周四（4月23日）報道，在 去年年底宣布其5nm蝕刻機獲得臺積電認可之后，中微公司近期發布的2019年財報顯示，該企業5nm蝕刻設備已經獲得批量訂單。

據悉， 5nm蝕刻機目前是集成電路制造領域中最為先進的工藝，除了中微公司之外，目前只有三星和臺積電聲稱掌握了該工藝，也就是說目前全球僅3家企業擁有這一技術 。不過，目前只有臺積電能量產5nm蝕刻機，并將于今年第二季度擴大其產量；而 三星則預計要到今年6月底才能完成5nm產線的建設，并且預計最早將于今年年底進行量產。

一直以來，全球半導體設備市場都是有國外廠商壟斷。 數據顯示，2018年全球前5大廠商在全球的市場份額已經超過65%。而與長江存儲相似，中微公司作為半導體設備市場的追趕者，要在短期內打破外國的壟斷，恐怕還有難度。不過， 如今中微公司在全球蝕刻設備市場已經占有一席之地，這無疑有助于提高我國芯片生產設備的供應安全。

中微公司的董事長尹志堯此前表示，在一些最高端的刻蝕應用中，該公司的刻蝕機還有的地方，因此還需要進行進一步的技術創新和設備升級，該公司已經在開發新一代的蝕刻機。 隨著中微公司技術持續升級，未來中企在芯片生產設備的技術方面與外國廠商的差距有望進一步縮小。

我國唯一一臺euv光刻機現狀

我國目前連一臺euv光刻機都沒有，即使是圖紙也沒有。

EUV光刻機是半導體制造中的核心設備，它使用極紫外光技術進行微細加工，能夠實現芯片制造的高精度和高速度。然而，全球EUV光刻機市場一直被荷蘭ASML公司壟斷，而中國EUV光刻機如何則備受關注。

目前，ASML公司所在的荷蘭政府以及美國政府均在對EUV光刻機的出口進行嚴格的管制，而EUV光刻機是制造芯片的必要設備之一，中國的半導體產業將會面臨供應鏈斷裂的風險。

面對這一局面，中國政府已經出臺了一系列的政策，支持國內的半導體產業發展。中國正在積極推進自主創新，加大投入力度，建設自主可控的芯片生態系統。目前，中國的一些芯片制造企業也在積極研發EUV光刻機，以期實現國產化。

性能指標：

光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。片臺和掩模夾是根據不同的樣片和掩模尺寸而進行設計的。

分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制，所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。

對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。

以上內容參考：百度百科—光刻機

中國什么光刻機？

首臺國產光刻機是上海微電子裝備（集團）股份有限公司研發的。

上海微電子裝備（集團）股份有限公司（簡稱SMEE）主要致力于半導體裝備、泛半導體裝備、高端智能裝備的開發、設計、制造、銷售及技術服務。公司設備廣泛應用于集成電路前道、先進封裝、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造領域。

SMEE致力于以極致服務，造高端產品，創卓越價值，全天候、全方位、全身心地為顧客提供優質產品和技術服務。SMEE已通過ISO27001信息安全、ISO9001質量管理和ISO14001環境管理等體系的國際認證，力求為客戶提供持續、穩定、高品質的產品和服務，并履行一個優秀的高科技企業的社會責任。

SMEE光刻機研發成功的意義

上海微電子公司所研發的“SMEE光刻機”是一臺性能堪比先進光刻機的制造設備，其光刻效果能夠滿足生產高質量的芯片。這一研發的成功，也打破了美國市場對于中國光刻機的壟斷，贏得了國內技術的獨立與發展。

隨著上海微電子的封裝光刻機進入國產廠商生產線，對于提升國產芯片自給率，降低國外芯片進口依賴有了更大的幫助。因為封裝光刻機也是制造集成電路和半導體器件的關鍵設備之一，它能夠將電路圖案轉移到半導體材料的表面，是半導體產業中不可或缺的重要設備。

華為有多少光刻機

華為有46臺光刻機。

半導體產業已經成為了全球科技大戰的核心戰場。在這場戰場中，華為一直備受關注。自從受到國際貿易制裁后，華為面臨著巨大的壓力，特別是在半導體供應鏈斷裂的風險下。2023年9月，郭臺銘發出強烈的支持信號，他計劃為華為提供46臺光刻機，來力挺華為的半導體業務。

46臺光刻機不僅可以幫助華為彌補供應鏈的短板，還將進一步提高其技術的核心競爭力。其次，這標志著華為與郭臺銘之間深化的合作關系。盡管兩者之前有過合作，但這次的大手筆投資無疑將兩者的合作關系提升到了新的高度。

華為手機品牌發展歷史

2003年7月，成立華為技術有限公司手機業務部。

2004年2月，作為中國第一款WCDMA手機參加法國戛納3GSM大會并現場演示。

2009年2月，在西班牙移動世界大會（MWC）首次展示首款Android智能手機，并宣布與T-mobile合作推廣。

2010年9月，在德國IFA展會上發布全球首款with Google的Android2.2普及型智能手機IDEOS。

2012年1月，在美國國際消費電子展（CES）發布P系列“智能手機”Ascend P1S（厚度僅6.68mm）。

2012年2月，西班牙移動世界大會（MWC）發布四核手機Ascend D1 quad；聯合沃達豐在英國發布Ascend G300。

2018年3月27日，華為在法國巴黎發布了華為P20、華為P20Pro、華為P20Lite三款手機。

以上內容參考百度百科-華為手機

中國突破光刻機意味著什么？

光電所微細加工光學技術國家重點實驗室研制出來的SP光刻機是世界上第一臺單次成像達到22納米的光刻機，結合多重曝光技術，可以用于制備10納米以下的信息器件。這不僅是世界上光學光刻的一次重大變革，也將加快推進工業4.0，實現中國制造2025的美好愿景。

長期以來，我國的光刻技術落后于先進國家，成為我國工業現代化進程的一塊短板。2006年，科技部提出了光刻技術的中長期規劃，希望中科院的國家重點實驗室，能找到一條繞開國外技術壁壘，具有自主知識產權的光刻路徑。光電所SP光學光刻機就是繞開了傳統的193納米曝光的技術路線，利用長波長光源也可以得到一個突破衍射極限的分辨率的圖形，所以在成本上安全性方面上都會有一個很大的提升，是完全具有知識產權的原創性技術。

我以前了解過，光刻機是制造電腦CPU的母機，處于科技領域的最頂層，目前世界上先進光刻機基本被荷蘭的ASML公司壟斷，CPU芯片制程最先進的是14納米，不賣中國人，并且賣給中國公司的稍過時的光刻機也有條款不準用于制造像龍心這類自主研發的CPU芯片。美國、日本在這個領域都力不從心，成都太給力了。

在技術方面，ASML光刻機可以使用波長為13.5納米的極紫外光(EUV)，實現14納米、10納米、和7納米制程的芯片生產，而通過技術升級，也可以實現9納米，8納米，6納米，5納米，4納米乃至3納米等制程的芯片生產。據悉，臺積電購買了ASML的兩臺NXE 3300B(后來在ASML的幫助下升級到與NXE 3350B相同的技術水平)，三星也從ASML采購EUV設備，NXE 3350B和最新的NXE3400光刻機，英特爾同時也采購了數臺NXE 3350B。而且NXE 3350B EUV極紫外光刻機主要被用來進行7nm的相關測試和試產。在今年4月，臺積電就已經開始代加工其7nm制程的芯片產品，三星在近期推出8nm制程的產品，而英特爾可能生產10nm工藝的產品。從中可以看出，ASML的EUV光刻機成為了他們能否快速實現更低納米制程量產計劃的基礎和關鍵，不管三星、英特爾、臺積電圍繞著具體制程工藝如何去競爭，ASML終究是背后最大霸主，最大贏家，因為他們誰都離不開他的EUV光刻機。

中國有光刻機嗎？

中國有光刻機，位于我國上海的SMEE已研制出具有自主知識產權的投影式中端光刻機，形成產品系列初步實現海內外銷售。正在進行其他各系列產品的研發制作工作。

光刻機又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。

光刻機的作用：

光刻機是芯片制造的核心設備之一。目前有用于生產的光刻機，有用于LED制造領域的光刻機，還有用于封裝的光刻機。光刻機是采用類似照片沖印的技術，然后把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。

在加工芯片的過程中，光刻機通過一系列的光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片上，然后使用化學方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。

中國光刻機能產幾納米

中國光刻機能產幾納米：最新成果展示
　　據近日消息，中國光刻機取得了重大突破，在芯片制造工藝中實現了更高層次的精度。目前，中國光刻機已經實現了可以生產7納米線寬的水平，并在分辨率和可制造性等方面取得了顯著的進步。這意味著中國在半導體產業中所具備的實力進一步得到了增強，也為今后的科技發展奠定了更為堅實的基礎。
　　作為目前全球光刻技術的主要開發者，中國的光刻機發展一直備受矚目。過去，中國的光刻機只能達到50納米的生產精度，然而近年來，把握機遇，大力發展技術，中國光刻機順利實現了25納米和18納米的生產精度，成功將產業鏈推向更高層面。而如今光刻機打破7納米這一生產極限，是產業競爭最新的戰略制高點。
　　中國在發展光刻機方面的成功也促成了技術創新和國際產業分工的加強。目前，中國已經能夠自主開發生產一款全新的光刻機，并借此提高半導體產業的制造技術。在未來，中國的光刻機技術還將繼續提升，為推動半導體產業逐步向著智能化、高效、普及化等多元化方向發展，發揮更大的作用。

中國最大的光刻機生產廠家

上海微電子

上海微電子目前已經量產最先進的SSA600/20系列光刻機，依舊采用的是193nmArF光源技術，可用于低端的90nm芯片，更重要的是上海微電子的光刻機設備掌握著國內低端光刻機設備領域近80%市場份額；而根據國內官方媒體最新報道，上海微電子下一代28nm工藝節點的浸潤式光刻機可以在明年完成量產交貨，這意味著國產光刻機設備即將會掀起一股中國替代潮，已經取得了重大技術突破的上海微電子，未來的發展潛力無限。上海微電子裝備有限公司坐落于張江高科技園區內，鄰近國家集成電路產業基地、國家半導體照明產業基地和國家863信息安全成果產業化（東部）基地等多個國家級基地。公司成立于2002年，主要致力于大規模工業生產的投影光刻機研發、生產、銷售與服務，公司產品可廣泛應用于IC制造與先進封裝、MEMS、TSV/3D、TFT-OLED等制造領域。

目前我國的光刻機廠家正在快速發展中，雖落后西方國家一步，但未來是光明可見的。光刻機的種類、品牌多式多樣，其重要功能各不一樣。光刻機（MaskAligner）又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。光刻機的品牌眾多，根據采用不同技術路線的可以歸納成如下幾類：高端的投影式光刻機可分為步進投影和掃描投影光刻機兩種，分辨率通常七納米至幾微米之間，高端光刻機號稱世界上最精密的儀器，世界上已有1.2億美金一臺的光刻機。高端光刻機堪稱現代光學工業之花，其制造難度之大，全世界只有少數幾家公司能夠制造。國外品牌主要以荷蘭ASML（鏡頭來自德國），日本Nikon（intel曾經購買過Nikon的高端光刻機）和日本Canon三大品牌為主。位于我國上海的SMEE已研制出具有自主知識產權的投影式中端光刻機，形成產品系列初步實現海內外銷售。正在進行其他各系列產品的研發制作工作。生產線和研發用的低端光刻機為接近、接觸式光刻機，分辨率通常在數微米以上。主要有德國SUSS、美國MYCRONXQ4006、以及中國品牌。

光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動。A手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；B半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧；C自動：指的是從基板的上載下載，曝光時長和循環都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。制造高精度的對準系統需要具有近乎完美的精密機械工藝，這也是國產光刻機望塵莫及的技術難點之一，許多美國德國品牌光刻機具有特殊專利的機械工藝設計。例如MycroN&Q光刻機采用的全氣動軸承設計專利技術，有效避免軸承機械摩擦所帶來的工藝誤差。對準系統另外一個技術難題就是對準顯微鏡。為了增強顯微鏡的視場，許多高端的光刻機，采用了LED照明。對準系統共有兩套，具備調焦功能。主要就是由雙目雙視場對準顯微鏡主體、目鏡和物鏡各1對（光刻機通常會提供不同放大倍率的目鏡和物鏡供用戶組合使用）。CCD對準系統作用是將掩模和樣片的對準標記放大并成像于監視器上。