證券日報新聞記者 阮潤生
以氮化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)為代表第三代化合物半導體,已經在功率電子行業闖出一片天下。在其中,氮化硅更融入髙壓、高電壓的使用場景,稱霸新能源車市場,年產值遠高于主要中低壓市場氮化鎵。而近些年,氮化鎵的使用早已不僅僅局限于快速充電等交易電子城,反而是向大數據中心、可再生資源乃至新能源車市場深入推進。
英諾賽科產品用途主管鄒艷波表示,過去三年氮化鎵性能得到大幅度提高,并且隨著科技的迭代更新和規模效益充分發揮,成本和跟硅元器件貼近,尤其是產生系統設備以后,整體上的成本費已經能夠為客戶帶來盈利。據統計,英諾賽科擁有全世界批量生產8英尺硅基氮化鎵的渠道,產品已經遮蓋15V到700V。相較于6英寸服務平臺,8英尺片式單晶硅片元器件能增加80%,單珠商品就具有30%的低成本優勢。
在大數據中心、太陽能逆變器、車輛、電源系統等領域,對產品質量功率、能耗等級、工作頻率、熱管理系統、穩定性及規格等都提出了更高要求。而氮化鎵因具有寬禁帶、高頻、低損耗、防輻射強等優點,恰好滿足各種各樣應用領域對高效化、節能型、性價比較高的規定。
“在新能源領域,現階段最先量產的是激光傳感器商品,也有一部分生產商已經專注于開發設計用以車輛主逆變電源的氮化鎵功率元件。”鄒艷波表示。
氮化鎵還在向中大功率行業擴展。據統計,珠海市鎵將來早已下手將氮化鎵應用到戶外電源雙向逆變電源。聞泰科技集團旗下安世半導體穩居世界前五功率大的分立器件企業,不斷提高氮化鎵在大數據中心等行業特性,創新推出了三代650V氮化鎵mos晶體管。
安世半導體高級副總裁姜克日前參加廣州南沙國際性集成電路產業社區論壇時指出,未來的汽車的800V框架所需要的1200V元器件得話,業內給出的流行回答一定是氮化硅的;但在未來三五年,豎向的GaN的元器件計劃方案可能發布。
國際性輸出功率大佬也是對氮化硅和氮化鎵同吃的規劃心態。英飛凌上年項目投資20億英鎊,在馬來西亞拓展寬禁帶半導體的產能,也包括氮化硅和氮化鎵;在今年的3月,英飛凌更是把耗資8.3億美金回收氮化鎵系統公司,以進一步增強英飛凌在輸出功率系統軟件領域內的主體地位。
集邦咨詢化合物半導體投資分析師龔瑞驕表明,氮化鎵在400V系統中車載充電機的使用中,可能和碳化硅材料產生市場競爭,但是因為氮化鎵原材料在高壓里的局限性,800V系統軟件行業短時間一般不會有競爭造成。小編猜想,到2025年上下,氮化鎵功率元件會小批量生產地滲入小功率的OBC(車載充電機)和DC-DC(直運轉直流穩壓電源)中,2030年代工企業總商會計劃將氮化鎵移進到逆變電源。
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